Що таке мдп-транзистор?

Елементна база напівпровідникових елементів постійно зростає. Кожне нове винахід в цій області, по суті справи, змінює все уявлення про електронні системах. Змінюються схемотехнические можливості в проектуванні, з`являються нові пристрої на їх основі. З моменту винаходу першого транзистора (1948 г), пройшло вже чимало часу. Були винайдені структури "p-n-p" і "n-p-n", біполярні транзистори. Згодом з`явився і МДП-транзистор, що працює за принципом зміни електричної провідності приповерхневого напівпровідникового шару під дією електричного поля. Звідси і ще одна назва цього елемента - польовий.

Відео: Урок №23. Польовий (MOSFET) транзистор.

Сама абревіатура МДП (метал-діелектрик-напівпровідник) характеризує внутрішню будову цього приладу. І дійсно, затвор у нього ізольований від стоку і витоку тонким непровідним шаром. Сучасний МДП-транзистор має довжину затвора, рівну 0,6 мкм. Через нього може проходити тільки електромагнітне поле - ось воно і впливає на електричне стан напівпровідника.

Давайте розглянемо, як працює польовий транзистор, і з`ясуємо, в чому ж його основна відмінність від біполярного &ldquo-побратима&rdquo-. При появі необхідного потенціалу на його затворі з`являється електромагнітне поле. Воно впливає на опір переходу стік-витік переходу. Ось деякі переваги, які дає використання цього приладу.

Відео: Комутація навантаження Ардуіно, MOSFET транзистори

• У відкритому стані перехідний опір стік-витік дуже мало, і МДП-транзистор з успіхом використовується в якості електронного ключа. Наприклад, він може керувати операційним підсилювачем, шунтуючи навантаження або брати участь в роботі схем логіки.
• Також слід зазначити і високий вхідний опір приладу. Цей параметр є досить актуальним при роботі в слабкострумових ланцюгах.
• Невисока ємність переходу стік-витік дозволяє використовувати МДП-транзистор в високочастотних пристроях. В процесі не відбувається спотворень при передачі сигналу.
• Розвиток нових технологій при виробництві елементів привело до створення IGBT-транзисторів, що поєднують в собі позитивні якості польових і біполярних елементів. Силові модулі на їх базі широко використовуються в пристроях плавного пуску і частотних перетворювачів.

При проектуванні і роботі з цими елементами, необхідно враховувати, що МДП-транзистори дуже чутливі до перенапруження в схемі і статичної електрики. Тобто прилад може вийти з ладу при дотику до керуючих висновків. При монтажі або демонтажі використовуйте спеціальне заземлення.

Відео: How to check MOSFET

Перспективи у використанні цього приладу дуже хороші. Завдяки своїм унікальним властивостям, він знайшов широке застосування в різній електронній апаратурі. Інноваційним напрямком в сучасній електроніці є використання силових IGBT-модулів для роботи в різних ланцюгах, в тому числі, і індукційних.

Технологія їх виробництва постійно вдосконалюється. Ведуться розробки по масштабування (зменшення) довжини затвора. Це дозволить поліпшити і так вже непогані експлуатаційні параметри приладу.